中金指出，在AI算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击之后，高压架构是数据中心供电系统发展的确定方向。在硬件技术进步推动下，2026年数据中心高压架构迎来落地元年。中金认为，SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级，SiC有望统领机房侧（灰区）应用，而GaN有望在机柜内（白区）大规模渗透，从灰、白区分界线形成“SiC左，GaN向右”的市场格局，共同受益于数据中心电源方案迭代。

中金|AI进化论（19）：SiC向左，GaN向右，三代半导体成为数据中心高压架构的必然解

中金研究

在AI算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击之后，高压架构是数据中心供电系统发展的确定方向。在硬件技术进步推动下，2026年数据中心高压架构迎来落地元年。我们认为，SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级，SiC有望统领机房侧（灰区）应用，而GaN有望在机柜内（白区）大规模渗透，从灰、白区分界线形成“SiC左，GaN向右”的市场格局，共同受益于数据中心电源方案迭代。

摘要

数据中心供电方案变革之下，SiC/GaN产业需求有望迎来明显受益，有望带来广阔的市场空间。在数据中心算力芯片功率密度提升，能源转换效率要求不断严苛的背景下，第三代化合物半导体SiC/GaN凭借物理特性优势，有望在机房侧和机柜侧逐步对Si基功率半导体形成替代。我们测算，2030年单MW数据中心建设对应的SiC器件/GaN器件有望分别达到1.0/2.1万颗，对应单MW价值量有望达22万/4.9万美元，市场空间可观。

从投资节奏上来看，短期高压架构对三代半导体供给冲击有限，长期期权更应被合理定价。结合SemiAnalysis的研究结论，我们认同数据中心供电架构的变革会经历四个发展阶段，2026-2030年间，机柜（白区）及机房（灰区）侧有望逐步被800V/±400VDC系统改造，并驱动第三代化合物半导体需求增长。短期1-2年内800V边柜（Sidecar）引领的过渡架构可能对SiC的需求拉动有限，但是随着：1）机柜侧刀片降压甚至800V-6V的高密度电源转换、2）机房侧集中整流、3）SST等需求落地，我们认为SiC/GaN相关公司的长期期权更应被合理定价。

中国企业迎来确定性成长机会。我们认为中国企业已在SiC/GaN领域实现深度布局，竞争力持续提升；未来中国第三代化合物半导体产业链公司有望较大幅度受益于数据中心高压架构的渗透。

风险

800VDC产业进度不及预期或OCP±400V方案替代风险；行业竞争加剧及价格下行风险；客户认证及订单转化不及预期风险。

（文章来源：财联社）

来源：东方财富网